В состязание в микромире включился очередной игрок
Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), один из крупнейших контрактных производителей полупроводниковой продукции (для NVIDIA, ATI и др.), объявила о разработке 32-нм технологии с поддержкой как аналогового, так и цифрового функционала микрочипов. Одновременно TSMC анонсировала выпуск созданной по 32-нм технологии опытной партии кристаллов полнофункциональной статической памяти с произвольным доступом объемом 2 Мб. Таким образом, обозначился еще один крупный игрок в гонке за лидерство на 32-нм поле (см. pcweek.ru/themes/detail.php?ID=105286).
В отличие о своих конкурентов в этой области TSMC при создании новой 32-нм технологии не стала менять в транзисторном затворе материал, а для уменьшения тока утечки применила напряженный кремний. Главным же отличием решения TSMC является применение иммерсионной фотолитографии с двойным экспонированием (с двойным фотошаблоном). С помощью метода 193-нм иммерсионной фотолитографии в TSMC получена 0,15-мкм ячейка памяти SRAM высокой степени интеграции.
В основе литографии с двойным экспонированием и двойным шаблоном (double exposure and double patterning, DE/DP) лежит вытравливание слоя фоторезиста путем последовательного использования двух фотомасок, формирующих смежные элементы. Освоение технологии двойного экспонирования было предусмотрено в 2006 г. программой отраслевого форума ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) как возможное решение задачи перехода к 32-нм техпроцессу.
В планы TSMC входит производство микрочипов по разработанной 32-нм технологии с полной поддержкой цифрового, аналогового и радиочастотного (RF) функционала в сочетании с памятью высокого уровня интеграции. Для НИОКР в этом направлении в компании создано специальное подразделение.
По мнению разработчиков TSMC, на таких микрочипах можно создавать экономичные микросхемы класса SoC (система на кристалле), ориентированные в первую очередь на мобильные устройства.
