В начале марта IBM и Hitachi объявили о подписании соглашения о проведении совместных исследовательских работ в области полупроводников. Соглашение заключено на два года и предусматривает необходимость концентрацими сил на разработке 32-нм технологии полупроводникового производства и следующего поколения транзисторов.
Инженеры фирмы IBM, корпорации Hitachi и ее дочернего подразделения Hitachi High-Technologies, специализирующегося на разработке технологического оборудования для полупроводникового производства, планируют проведение исследований в США — в исследовательском центре IBM им. Томаса Уотсона (IBM Thomas J. Watson Research Center), расположенном в городе Йорктаун-Хайтс (Yorktown Heights), и в нанотехнологическом колледже CNSE (College of Nanoscale Science and Engineering) Университета города Олбани.
Представители обеих компаний полагают, что объединение усилий в этом направлении будет способствовать значительному снижению инвестиций на проведение научно-исследовательских работ при создании 32-нм технологии полупроводникового производства.
