На выставке Computex 2013 компания Nvidia продемонстрировала действующий прототип смартфона на базе новейшей “системы-на-чипе” (SoC) Tegra 4i, обладающей поддержкой встроенного LTE-модема. Об этом сообщило издание Techonnikkei.

Представитель Nvidia заявил, что в настоящее время этот смартфон тестируется в сетях оператора сотовой связи AT&T и, как ожидается, появится на рынке США в начале 2014 г. Он также сообщил, что компания ведет переговоры с несколькими вендорами на предмет производства смартфонов на базе Tegra 4i, но имя ODM-производителя смартфона, показанного на выставке, не назвал.

Процессор Tegra 4i является четырехъядерным и построен на базе ARM-ядра R4 Cortex-A9, а также имеет ещё одно энергосберегающее ядро и интегрированный LTE-модем Nvidia i500. Модем был разработан компанией Icera, которую Nvidia приобрела в 2011 г. Производится Tegra 4i тайваньским производителем микросхем TSMС с использованием 28-нм технологического процесса.

Tegra 4i поддерживает фирменную технологию 4-PLUS-1 (имеется энергоэффективное ядро, оптимизированное для работы на пониженной частоте). Графическая подсистема унаследована от Tegra 4, но количество графических блоков в ней понижено до 60. Tegra 4i обладает сигнальным процессором обработки изображений, движком обработки видео и оптимизированным интерфейсом памяти. К интересным особенностям нового 4-ядерного чипа стоит отнести поддержку разных LTE-частот.

Nvidia сообщила, что заключила долгосрочное партнёрское соглашение с ZTE, которая намерена встраивать “системы-на-чипе” Tegra 4 в свои, как она их называет, “суперфоны”. ZTE заявляет, что такие устройства обеспечат “ультрабыструю веб-навигацию, уменьшенное время загрузки приложений, более реалистичный игровой процесс и большое время автономной работы”.

Процессор Tegra 4, напомним, содержит четыре основных вычислительных ядра с архитектурой ARM Cortex-A15, дополнительное низковольтное ядро и графический контроллер GeForce с 72 ядрами. Заявлена возможность использования дисплеев с разрешением до 4К (3840×2160 пикселов). Производственная норма — 28 нм.