Samsung объявила о начале массового производства первых в отрасли микрочипов встраиваемой флэш-памяти ёмкостью 256 Гб, выполненных в соответствии со стандартом UFS 2.0 (Universal Flash Storage). Изделия рассчитаны на мобильные устройства класса high-end.

UFS — это спецификация флэш-накопителей для цифровых фотоаппаратов, сотовых телефонов и потребительской электроники. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS 2.0 обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии. Стандарт UFS 2.0, как и UFS первого поколения, был разработан организацией JEDEC. Он был представлен в 2013 г., спустя два года после запуска UFS 1.0.

Основанная на флэш-памяти 3D V-NAND и высокопроизводительном контроллере память UFS 2.0 демонстрирует производительность до 45 000 и 40 000 IOPS на операциях чтения и записи с произвольным доступом, превосходя предыдущее поколение памяти (19 000 и 14 000 IOPS) более чем вдвое. По скорости передачи данных в режиме последовательного чтения Samsung UFS 2.0 приблизительно вдвое превосходит существующие накопители SSD с SATA-интерфейсом для ПК, передавая данные по двум каналам со скоростью 850 Мб/с. Что касается последовательной записи, скорость передачи достигает 260 Мб/с, что примерно втрое больше по сравнению со сменными картами памяти microSD.

Благодаря поддержке более высоких скоростей новая память позволяет выполнять одновременно задачи просмотра видео в формате Ultra HD и загрузки видеофайла. Емкости в 256 Гб достаточно для хранения на мобильном устройстве 47 фильмов в формате Full HD. Потенциал UFS 2.0 помогает реализовать интерфейс USB 3.0, позволяющий передавать файл объемом 5 Гб в течение 12 с. В дополнение к этому новый чип емкостью 256 Гб компактнее, чем карта microSD.

Отметим, что чипы UFS 2.0 объёмом 128 Гб были представлены Samsung в феврале прошлого года, и компания использовала их в смартфонах Galaxy S6. Но в этом году, по всей видимости, корейский производитель не успел доработать чипы и не стал выпускать версию флагманского Galaxy S7 с 256 Гб встроенной памяти.

Samsung заявила, что новые чипы объёмом 256 Гб появятся во флагманских смартфонах следующего поколения. Также сообщается, что компания выпустит устройства с данными чипами памяти уже в этом году, возможно это будет следующий представитель семейства смартфонов Galaxy Note.