Бывший исполнительный вице-президент Intel Девид Перлмуттер, отработавший в компании 34 года и покинувший её в 2014-м, возглавил израильский стартап Weebit Nano. Эта компания занимается разработками в области резистивной памяти (ReRAM, Resistive random-access memory), сообщает издание EETimes. В настоящее время Weebit Nano находится в стадии поглощения австралийской компании Radar Iron. Голосование акционеров по этому поводу должно состояться в мае.

Weebit Nano была основана в 2014 г., имеет лицензионное соглашение с Университетом Райза (Хьюстон, шт. Техас) на семь патентов, которые описывают текстуру памяти на базе оксида кремния. О преимуществах ReRAM сказано немало. Вкратце напомним, что память ReRAM имеет перекрёстную архитектуру, в которой ячейка с переменным сопротивлением располагается между двумя электродами. Это даёт возможность создавать многоярусные высокоплотные структуры и легко изменять масштаб в сторону уменьшения площади ячейки.

Теоретически микросхемы ReRAM способны обеспечивать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с флэш-NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок более высоким числом циклов перезаписи. Впрочем, у этой перспективной разработки пока нет коммерчески выгодной технологии для массового производства.

Стоит напомнить, что у истоков создания ReRAM стояла HP. В 2008 г. компания сообщила, что она изобрела «четвёртый радиотехнический элемент» — мемристор. Громкий анонс HP позволял надеяться, что технология через несколько лет станет коммерческой, но прошло уже шесть лет, а прорыва так и не произошло. Не помогло даже то, что HP взялась помогать компания SK Hynix.

Новым помощником HP в деле создания продуктов на основе памяти ReRAM стала американская компания SanDisk. Партнёры собираются создать новый класс SCM-продуктов (Storage Class Memory) на основе твёрдотельной памяти, которая в 1000 раз быстрее, чем флэш-память, и в 1000 раз устойчивее её к износу. HP надеялась использовать новый тип памяти для принципиально новой компьютерной архитектуры Machine, в основе которой лежит использование памяти ReRAM, но на первом этапе собирается использовать не мемристоры, а память с изменяемым фазовым состоянием вещества и, судя по всему, это будет память Intel/Micron 3D Xpoint.

Интенсивные исследования таких технологий, как ReRAM, объясняются тем фактом, что флэш-память подходит к своему технологическому барьеру и разрабатывать устройства по техпроцессам менее 10-20 нм будет весьма проблематично. Поэтому отрасли нужны принципиально новые разработки. Что касается ReRAM, то в развитии этой технологии исследователей подстерегают множество барьеров. Понимание физических процессов в изолирующем слое между верхними и нижними электродами в ReRAM-памяти оказалось затруднительным, а без этого продвигаться дальше сложно.

Поэтому производители памяти не спешат внедрять новые, но не до конца опробованные технологии памяти. Так, по прогнозам Toshiba, она будет выпускать 3D NAND ещё 5-6 лет. Но после 2020 г. появится потребность в памяти с иным принципом работы. Компания сделает ставку на разработку 3D ReRAM. К тому времени 3D ReRAM можно будет объединить с техпроцессом 10 нм и менее.