Сотрудники IBM Research впервые смогли записать три бита в одну ячейку памяти на основе фазового перехода (Phase-Change Memory, PCM). Ученые считают, что PCM открывает перспективы создания быстрых и надёжных средств хранения информации, способных справится с экспоненциальным ростом объёмов данных от мобильных устройств и Интернета вещей (IoT).
PCM может пребывать в двух состояниях — аморфном, без четко определенных структур и с низкой проводимостью, и в кристаллическом — с высокой проводимостью и структурой. Чтобы записать в ячейку значение, на неё воздействуют высоким напряжением, чтобы считать значение — низким.
К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флэш-памяти. Более того, от флэш-памяти PCM отличается более длительным сроком службы — до 10 млн. циклов перезаписи против 3000 у флэш-памяти.
Опытный чип трёхбитовой PCM компании IBM выпущен с использованием
До сих пор главными препятствиями на пути коммерциализации PCM являлись ее высокая стоимость и очень низкая плотность — не более одного бита на ячейку. Это ограничение делало невозможным применение PCM в ноутбуках и смартфонах. Создание трёхбитовой ячейки PCM в значительной мере решает эту проблему.
Intel и Micron, как известно, решили проблему низкой плотности PCM иным путём — они представили многослойную 3D-структуру памяти 3D XPoint. Трёхбитовая ячейка решает эту проблему проще и с меньшими затратами. Очевидно, однослойная структура проще и надёжнее, чем многослойная. К тому же уровень брака при создании многослойных структур намного выше, чем при создании однослойных.
IBM не делает никаких прогнозов о выходе PCM на рынок. Это происходит отчасти потому, что компания не занимается производством памяти и ей придется искать партнера на стороне. На это у неё может уйти два-три года.