Группа учёных Гонконгского, Гарвардского и Калифорнийского университетов, а также Сандийской национальной лаборатории (США) разработали технологию создания микроскопических лазеров на поверхности кремниевых чипов. Она позволит ускорить работу процессоров и может совершить революцию в полупроводниковой промышленности, пишет EurekAlert.
За разработкой технологии стоит желание учёных найти эффективный способ устранения дефектов в кристаллической решетке кремния. Эти дефекты не позволяли использовать лазеры для ускорения работы кремниевых чипов. Поиск решения, как пишет издание, потребовал тридцати лет исследований. Что касается деталей технологии, то сообщается, что в её основе лежит применение арсенида галлия в качестве подложки. Кроме того, в кристаллической решетке создали субволновые полости, в которых разместили галереи лазерных пучков диаметром 1 микрон.
Вместо электрического тока для перемещения электронов используются лазеры, фактически новые чипы усеяны светоизлучающими элементами. По информации издания, для разгона процессоров лазерные установки применялись и раньше, но в сравнении с традиционными новые системы в миллион раз меньше.
Чипы с лазерами могут использоваться для повышения скорости передачи данных. Они найдут применение в химическом зондировании и системах волоконно-оптической коммуникации.
Ещё одним способ применения лазерных процессоров может стать фотоника, которая в настоящее время является наиболее энергетически и экономически эффективным способом передачи значительных объемов данных на большие расстояния. Учёные не исключают, что лазерные процессоры, потребляющие минимальное количество энергии, но при этом обладают высокой мощностью, могут стать основой для дальнейшего развития кремниевой фотоники и микропроцессоров. Разработчики утверждают, что первые прототипы подобных чипов могут появиться в течение ближайших десяти лет.
