По оценкам Allied Market Research, объем рынка многослойной памяти (3D NAND) к 2022 г. превысит 39 млрд. долл., тогда как в 2015 г. его объем оценивался в 5,2 млрд. долл. Эти показатели соответствуют среднегодовому росту на 33,7% в период с 2016 по 2022 гг. Резкий рост интереса производителей к 3D NAND обусловлен освоением объемной компоновки ячеек, что открыло путь к повышению плотности флэш-памяти при сохранении текущих технологических норм. Эксперты пришли к выводу, что несмотря на то, что в ближайшие годы доля памяти 3D NAND будет расти, она не сможет вытеснить из оборота планарную память (2D NAND).

Бóльшая часть флэш-памяти 3D NAND используется в потребительской электронике, а в географическом отношении лидирует Азиатско-Тихоокеанский регион, на который в 2015 г. приходилось более 43% всего объема поставок. Это неудивительно, поскольку в указанный регион входит Китай (его доля в регионе — 33%). Основными производителями флэш-памяти являются Samsung, Toshiba, SK Hynix, Micron, Intel и SanDisk.

Как говорят аналитики, широкомасштабные поставки 64-слойной памяти 3D NAND, предназначенной для встраиваемых модулей eMMC и UFS, а также для SSD корпоративного и потребительского сегмента начнутся в III квартале 2017 г. Кстати, на SSD в будущем году придется 40% всего объема выпуска NAND в 2017 г.

Растущие продажи памяти благоприятно сказываются на доходах и котировках производителей. С начала нынешнего года акции SK Hynix подорожали на 49%, что стало самой высокой динамикой с 2009 г. Котировки Micron Technology поднялись более чем на 45% в нынешнем году. В прошлом квартале компания нарастила выручку впервые почти за два года. Недавно SK Hynix сообщила, что собирается инвестировать почти 3 млрд. долл. в изготовление чипов быстрой памяти 3D NAND.

В свою очередь Micron объявила о том, что начала изготовление флеш-памяти 3D NAND с 64 слоями в производственном комплексе Fab 10X в Сингапуре. Toshiba/Western Digital поставляют свою 64-слойную BiCS NAND третьего поколения некоторым своим клиентам уже несколько месяцев. Более того, первая продукция на базе данных микросхем (съёмные накопители) должна сойти с конвейера уже в IV квартале.

О планах начать производство своих 64-слойных V-NAND четвёртого поколения известила и Samsung. Оно стартует в последнем квартале 2016 г. Новые чипы будут иметь трёхбитовую ячейку (TLC), ёмкость 512 Гбит. Как только Samsung опробует V-NAND четвёртого поколения на разного рода картах памяти и других съёмных накопителях, она будет использована для производства SSD в 2017 г.