Японская компания Panasonic в сотрудничестве с тайваньским контрактным чипмейкером United Microelectronics Corp. (UMC) намерена запустить серийное производство микросхем оперативной памяти нового поколения ReRAM (резистивная память с произвольным доступом), сообщает Nikkei. Проектированием ReRAM займутся специалисты Panasonic, затем совместно с UMC будет разработана производственная технология, а в дальнейшем тайваньский чипмейкер запустит у себя выпуск микросхем.

Теоретически микросхемы ReRAM способны обеспечивать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с флэш-NAND память нового типа характеризуется на порядок более высоким числом циклов перезаписи. Впрочем, у этой перспективной разработки пока нет коммерчески выгодной технологии для массового производства. Panasonic и UMC планируют наладить выпуск энергоэффективных чипов ReRAM с использованием 40-нм техпроцесса.

Потребление электроэнергии является ограничивающим фактором для современных устройств, питающихся от аккумуляторов, и Panasonic полагает, что преимущества в плане расхода энергии позволят памяти ReRAM сыграть ключевую роль на рынке Интернета вещей (IoT).

По расчетам Panasonic, микросхемы ReRAM будут востребованы со стороны производителей носимой электроники, а также найдут применение в системах безопасности, производственном оборудовании и других разнообразных устройствах, объединенных в сеть. В дальнейшем компания рассчитывает превратить свою ReRAM-память в стандарт для отрасли и продавать лицензии на использование технологии другим компаниям.

Первые образцы продукции планируется поставить в 2018 г., а массовое производство будет запущено в 2019-м. Партнеры ставят перед собой цель захватить сегменты, которые сегодня используют флэш-память.

Интенсивные исследования таких технологий, как ReRAM, объясняются тем фактом, что флэш-память подходит к своему технологическому барьеру и разрабатывать устройства по техпроцессам менее 10-20 нм будет весьма проблематично. Поэтому производители не спешат внедрять новые, но не до конца опробованные технологии памяти. Так, по прогнозам Toshiba, она будет выпускать 3D NAND ещё 5-6 лет. Но после 2020 г. появится потребность в памяти с иным принципом работы. Компания сделает ставку на разработку 3D ReRAM.

Недавно стало известно, что выпуском ReRAM уже занимается китайская компания SMIC, получившая лицензию в марте 2016 г. Разработчиком прототипа нового типа чипов является американская компания Crossbar.