Intel сообщила, что при производстве ряда продуктов намерена использовать методику Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), которая позволит объединять в одном изделии блоки, изготовленные по разным технологическим процессам. Её суть заключается в том, что в составе одного процессора могут содержаться компоненты, выполненные, скажем, по 22-, 14- и 10-нм технологиям, собрав таким образом модульный процессор.

В случае EMIB структура SoC не предусматривает использование подложки (интерпозера). Напомним, что подложка относится к так называемому дизайну 2,5D, она позволяет эффективно и быстро связать разные кристаллы друг с другом благодаря каналам TSV (Through-silicon vias, переходные отверстия в кремнии). При использовании EMIB модули SoC соединяют кремниевые мостики, что позволяет создавать высокоплотные соединения кристалл-кристалл только там, где это необходимо.

В таком наборе могут соседствовать высокопроизводительные элементы и энергоэффективные, но менее «шустрые». EMIB отличается от существующих методов объединения «кремния» — она не такая дорогостоящая, а ее влияние на производительность минимально. Отмечается, что технология уже применяется в Altera Stratix 10. Intel пока не называет сроков появления потребительских процессоров с EMIB, однако утверждает, что технология будет играть значительную роль в продуктах компании уже в ближайшее время.