Как и все контрактные производители полупроводниковых изделий, Samsung непрерывно совершенствует литографические технологии. На этой неделе компания сообщила о завершении квалификационных процедур в отношении второго поколения
Samsung выпустила несколько мобильных чипов на базе 10LPE. В частности, этот техпроцесс стал основой для производства чипа для Galaxy S8. Компания освоила 10LPE с использованием технологии FinFET в октябре прошлого года. В производстве
Технология FinFET основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника. Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы. Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
Первым чипом Samsung на базе 10LPE стал Exynos 9 Series 8895. Процессор содержит восемь вычислительных ядер. Это квартет собственных ядер Samsung второго поколения и квартет Cortex-A53. Обработкой графики занят мощный ускоритель ARM Mali-G71.
Желая увеличить объёмы выпуска
После освоения 10LPP Samsung также собирается освоить