В начале апреля корпорация Intel (www.intel.com) на проходившем в Токио Форуме для разработчиков представила серию устройств флэш-памяти StrataFlash. В них объединено до пяти сверхтонких микросхем, имеющих напряжение питания 1,8 В и пониженное энергопотребление. Микросхемы поставляются в компактном корпусе типа Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging и призваны облегчить проектировщикам решение задач по расширению функций мобильных телефонных аппаратов за счет возможностей фото- и видеосъемки, компьютерных игр, обмена сообщениями по электронной почте.
Многоуровневая компоновка становится стандартом на рынке сотовых и беспроводных средств связи. Первоначально флэш-память в корпусе типа Stacked CSP проектировалась и изготавливалась на заказ для производителей многофункциональных мобильных телефонных аппаратов. Унифицированные устройства флэш-памяти многоуровневой компоновки должны упростить модернизацию базовых моделей беспроводных аппаратов путем уплотнения размещения запоминающих ячеек и, как следствие, наращивания объема и производительности такого оборудования.
В одном чипе флэш-памяти многоуровневой компоновки размещается до пяти кристаллов, при этом его высота не превышает 1,0 мм. Запоминающие устройства типа SRAM, PSRAM и LP-SDRAM работают на 16- или 32-разрядной шине. Объем памяти микросхем, намеченных к выпуску в текущем году, составит до 512 Мбит, а в следующем будет увеличен до 1 Гбит.
