На заводе Intel Fab 24 в ирландском городе Лейкслипе запущена в эксплуатацию новая поточная линия по производству 300-миллиметровых подложек на основе технологического процесса 90 нм.
Fab 24 - уже четвертый по счету завод Intel, выпускающий подложки диаметром 300 мм, и третий, где выходят микросхемы с проектной нормой 90 нм. Другие предприятия расположены в США - Хилсборо, штат Орегон (D1C и D1D) и Рио-Ранчо, штат Нью-Мексико (Fab 11X).
Применение подложек 300 мм позволяет сократить производственные затраты, в том числе на изготовление отдельных компонентов, на 30%. Кроме того, выпуск одной микросхемы по новой технологии требует на 40% меньше энергии и воды. Проектная норма 90 нм позволяет удвоить количество транзисторов на микросхеме. В техпроцессе используется технология "напряженного кремния", ускоряющего работу транзисторов и сокращающего количество потребляемой энергии.
Общая стоимость нового производства составляет 2 млрд. долл.
