На ежегодной международной конференции по интегральным схемам International Solid State Circuits Conference (ISSCC) корпорация IBM представила технологию “внутрикристалльной памяти” (on-chip memory), которая демонстрирует наилучшие показатели времени доступа, когда-либо зафиксированные для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory).
Новая технология разработана с использованием фирменной методики IBM “кремний на изоляторе” (Silicon-on-Insulator, SOI) с целью обеспечения высокого уровня производительности полупроводниковых кристаллов при низком энергопотреблении. Она должна стать ключевым элементом стратегии IBM по развитию поколения микропроцессоров, произведенных по 45-нм технологии. Ее коммерческое применение планируется на начало 2008 г.
Как утверждают в IBM, новая микросхема eDRAM, созданная по 65-нанометровым нормам SOI с применением метода изоляции с глубокими канавками (deep trench) приблизительно на треть быстрее стандартной статической памяти SRAM и на одну пятую экономичнее с точки зрения потребляемой мощности в режиме ожидания.
