Компании Toshiba и SanDisk открыли фабрику Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин для флэш-памяти NAND на предприятии Yokkaichi Operations, строительство которой началось в августе 2006 г. Фабрика построена таким образом, чтобы минимизировать возможные последствия от стихийных бедствий. При конструировании здания использовались современные технологии, обеспечивающие частичное (на две трети) поглощение энергии ударов подземных толчков при землетрясениях. Кроме того, предприятие оснащено несколькими независимыми энергогенераторами, которые моментально включаются в работу при малейшем сбое энергоснабжения, например, в результате удара молнии.
Строительство Fab 4 было профинансировано корпорацией Toshiba, а закупка и установка производственного оборудования осуществлялась на деньги совместного предприятия Flash Alliance, основанного в июле 2006 г. Доля Toshiba в предприятии составляет 50,1%, а доля SanDisk — 49,9%.
Начало промышленного производства на этом заводе ожидается в декабре 2007 года. Планируется, что мощность Fab 4 во второй половине 2008 г. составит 80 тыс. кремниевых пластин в месяц. В дальнейшем предусмотрено увеличение производственных мощностей: при соответствующих инвестициях объем производства может быть доведен до 210 тыс. пластин в месяц, что позволит удовлетворить прогнозируемый рост рыночного спроса. Изначально Fab 4 будет работать по 56-нм техпроцессу; в марте 2008 г. запланирован переход на 43-нм технологию.
