Корпорация Intel объявила о разработке 65-нм техпроцесса со сверхнизким энергопотреблением, который позволит создавать экономичные процессоры для мобильных платформ. В новом техпроцессе используется технология получения напряженного кремния второго поколения, восемь уровней медных межсоединений и диэлектрик с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости.
Эта технология позволяет создавать транзисторы с размером затвора 35 нм. До сих пор транзисторы, используемые в процессорах Pentium 4, имели затвор размером 50 нм.
По сравнению с 90-нм техпроцессом новый позволяет разместить на той же площади вдвое больше транзисторов.
Чрезвычайно важным параметром техпроцесса является ток утечки транзистора, складывающийся из субпороговой утечки, утечки через переходы и через оксидный слой затвора. В транзисторах, изготовленных по новой технологии, удалось добиться существенного уменьшения всех трех видов утечек. В результате новые транзисторы имеют ток утечки в тысячу раз меньший по сравнению с транзисторами, получаемыми по стандартному процессу. Это позволит создавать устройства со сверхнизким потреблением энергии.
А. Л.
