На конференции Silicon Nanoelectronics Workshop 2001 г. в Киото (Япония) представители корпорации Intel сообщили о создании самых быстрых кремниевых транзисторов в мире, с элементами размером всего 20 нм.
Это позволит корпорации примерно к 2007 г. разработать микропроцессоры с соблюдением проектных норм 0,045 мкм. Кристаллы будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта.
