Компании Intel и Micron анонсировали высокоскоростные модули памяти NAND-флэш. Согласно заявлению разработчиков, их производительность превышает параметры существующих чипов примерно в пять раз. Первые образцы одноуровневых (SLC) чипов емкостью 1 Гб уже распространяются Micron среди OEM-партнеров и производителей контроллеров. В каталоге вендора также значатся 2- и 4-Гб модули. Ожидается, что массовые поставки модулей начнутся уже в этом году.
В январе комитет Open NAND Flash Interface опубликовал спецификации ONFI 2.0. Описываемый ими интерфейс имеет пропускную способность до 133 Мб/с, обеспечиваемую за счет использования давно применяемой производителями чипов DRAM технологии DDR и повышения тактовой частоты кристаллов. Новая разработанная Intel и Micron архитектура позволила создать чипы, функционирующие на еще больших частотах. В результате высокоскоростные модули NAND, созданные с применением 50-нм техпроцесса позволяют считывать данные со скоростью до 200 Мб/с и записывать со скоростью до 100 Мб/с, в то время как существующие на рынке модули NAND-флэш ограничены скоростью чтения и записи в 40 и 20 Мб/с соответственно.
Согласно заявлению производителей, использование новых модулей может существенно улучшить производительность мобильных устройств, в которых флэш-модули применяются в качестве основного накопителя. Более того, при использовании в составе гибридных накопителей высокоскоростные модули NAND позволяют увеличить их производительность на 200--400% , утверждает Micron.
Высокоскоростные модули NAND в будущем могут снять проблему сопряжения таких модулей с новым интерфейсом USB 3.0, слишком быстрым для традиционной памяти NAND. Кроме того, интеграция высокоскоростной флэш-памяти с контроллером NVMHCI (Non-Volatile Memory Host Controller Interface), совместно разрабатываемым Dell, Microsoft и IBM, может существенно расширить сферу применения флэш-памяти в качестве накопителя для настольных ПК.
