Корпорация SanDisk Corporation совместно с японской компанией Toshiba сообщили о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level, MLC) по 43-нанометровому техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти. Корпорация SanDisk намерена начать поставки одночиповой флэш-памяти NAND с самой высокой на сегодняшний день плотностью хранения информации в течение II квартала нынешнего года. Сначала планируется выпускать 16-гигабитные чипы, а во второй половине года — и 32-гигабитные.
Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по выпуску 300-мм кремниевых пластин (Fab 4). Во второй половине года планируется перевести на 43-нм техпроцесс и Fab 3.
Ожидается, что появление 43-нм флэш-памяти NAND и системные инновации SanDisk будут способствовать развитию твердотельных накопителей и управляемой NAND-памяти, такой как iNAND, позволят увеличить емкость флэш-накопителей для быстрорастущего рынка мобильных устройств и помогут укрепить лидирующее положение компании в сегменте высокопроизводительных решений.
