Корпорация IBM и ее партнеры по совместным разработкам — компании Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba — сообщили о результатах совместных испытаний новой полупроводниковой технологии, известной как HKMG (High-K/Metal Gate, “изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор”). Первые образцы чипов были выпущены с использованием 300-мм кремниевых подложек на полупроводниковом предприятии IBM, расположенном недалеко от Нью-Йорка. Новейшая технология чипов теперь готова к разработке промышленных образцов и, в перспективе, к подготовке их массового производства.

В результате тестовых испытаний участниками альянса было установлено, что новые чипы, созданные по 32-нанометровой производственной технологии, работают почти на 35% быстрее по сравнению с современными полупроводниковыми микросхемами на базе 45-нанометровой технологии, функционирующими на таком же напряжении. При этом, в зависимости от величины рабочего напряжения, энергопотребление 32-нм чипа может быть на 30-50% меньше по сравнению с 45-нм микросхемами. Более того, при проведении сравнительных испытаний производительности было установлено, что опытный чип на основе материала HKMG работает до 40% быстрее стандартного микропроцессора, изготовленного на основе традиционного материала Poly/SiON при аналогичных технологических параметрах.

IBM, Chartered и Samsung, как основные участники альянса Common Platform, стали первыми производителями в OEM-отрасли, реализовавшими технологию HKMG в рамках 32-нанометрового техпроцесса. Созданное энергосберегающее 32-нм технологическое решение обеспечивает дальнейшее совершенствование технологии до уровня 28 нм. Поддержка кремниевых подложек для 32-нм HKMG-технологии будет обеспечиваться в рамках программы поэтапной разработки промышленного прототипа, которую планируется запустить в третьем квартале этого года. Результаты, свидетельствующие о практической осуществимости массового производства на базе опытных HKMG-устройств, созданных в центре нанотехнологий Albany NanoTech Complex при колледже College of Nanoscale Science and Engineering, позволяют в перспективе адаптировать техпроцесс до 22-нм норм.