В будущем году компания намерена перейти на технологию 0,13 мкм

Петр Чачин

Компания “Ситроникс” заключила соглашение, в соответствии с которым фирма ST Microelectronics передаёт ей технологию производства микросхем с топологическим размером 0,13 мкм. Это позволит внедрить данную технологию с двухгодичным опережением установленных сроков.

Выпуск продукции на основе более “продвинутой” технологии будет организован на заводе “Микрон” -- дочернем предприятии “Ситроникса”, которое в декабре 2007 г. ввело в строй в Зеленограде фабрику по производству микросхем по технологии 0,18 мкм, также полученной от франко-итальянской фирмы ST Microelectronics в 2006 г.

По словам генерального директора “Микрона” Геннадия Красникова, производство микросхем по технологии 0,13 мкм планируется ввести в строй за 12 месяцев. Планируемый объем выпуска полупроводниковой продукции по технологиям 0,18 и 0,13 мкм — около 160 млн. долл. в год.

Как сообщает агентство “Прайм-ТАСС”, в натуральном выражении планируется поставить на рынок на первом этапе (в 2008 г.) 1500 пластин с 0,18-мкм полупроводниковыми микросхемами, а начиная со второго квартала 2009-го — по 3000 пластин, выпущенных по технологическим нормам 0,18 и 0,13 мкм. После ввода в строй 0,13-мкм производства соотношение продукции на основе 0,18 и 0,13 мкм составит 60 и 40%. Срок окупаемости внедрения обеих технологий -- около пяти лет.

Объем инвестиций “Ситроникса” в проект по производству микросхем с размером 0,18 мкм составил около 200 млн. долл., всего же в развитие микроэлектронного производства этой фирмы в Зеленограде в 2005—2007 гг. было вложено более 300 млн. долл.

Внедрение технологии 0,13 мкм не потребует существенных дополнительных инвестиций, так как оборудование для производства 0,18-мкм микросхем позволяет производить и 0,13-микронные после незначительной модернизации.

Используя технологию 0,18 мкм, “Ситроникс” уже производит микросхемы для электронных паспортов, чипы для смарт-карт и систем радиочастотной идентификации RFID. С внедрением технологии 0,13 мкм станет возможным производство в России новых продуктов, таких как SIM-карты большой емкости для сотовых телефонов (в том числе для аппаратов, работающих в сетях мобильной связи третьего поколения 3G), приставки цифрового телевидения, оборудование для мобильного телевидения, приемники ГЛОНАСС/GPS и т. д.

“Ситроникс” имеет и более далеко идущие планы: он намерен стать ключевым партнером государства в рамках проекта “Производство по технологии 65—45 нм на пластинах 300 мм”. Сметная стоимость строительства предприятия по производству микросхем с топологией 65—45 нм составляет порядка 2 млрд. долл.

Сейчас “Ситроникс” ждет окончательного решения правительства о выделении средств на строительство нового завода по производству микросхем из инвестиционного фонда. В конце прошлого года правительственная инвестиционная комиссия одобрила проект строительства завода и вынесла решение выделить для этого 26,9 млрд. руб. из фонда. Как только проект будет одобрен правительством, “Ситроникс” объявит тендер и выберет технологического партнера для его реализации. Среди возможных кандидатур были названы компании Intel, IBM и ST Microelectronics.

Один из самых высоких рисков данного проекта — вероятный отказ американского государственного департамента в экспорте 65-нм технологии. Однако предварительные переговоры показали, что получить разрешение на передачу технологии все-таки возможно. В компании рассчитывают, что участие в тендере не зависящей от госдепартамента США компании ST Microelectronics упростит ситуацию.

Не исключено, что нынешнее соглашение с ST Microelectronics, входящей в пятерку крупнейших мировых производителей полупроводниковых приборов, является заявкой этой европейской фирмы на участие в более крупном последующем контракте с “Ситрониксом”, попыткой дополнительно укрепить свои позиции на российском рынке в преддверии тендера на Silicon Foundry по топологии 65—45 нм. Кстати, вице-президент ST Microelectronics по развивающимся рынкам Жан-Марк Шамон в одном из последних интервью заверил корреспондента в том, что его компания однозначно примет участие и в новом тендере “Ситроникса”.

На недавнем совещании по итогам деятельности радиоэлектронного комплекса страны в 2007 году и обсуждению задач на 2008-й начальник управления Роспрома Александр Суворов отметил, что реализация самых значимых проектов по микроэлектронике в современных условиях возможна только на основе принципа государственно-частного партнерства, и это было еще раз подтверждено на открытии линии 0,18 мкм первым вице-премьером правительства РФ Сергеем Ивановым на заводе “Микрон” в Зеленограде.

По его словам, в 2007 г. успешно завершено выполнение годовых заданий подпрограммы “Развитие электронной компонентной базы” на 2007—2011 годы в рамках федеральной целевой программы (ФЦП) “Национальная технологическая база” на 2007—2011 годы, которая в связи с утверждением ФЦП “Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники” на 2008—2015 годы переведена в состав упомянутой ФЦП, т. е. отрасль имеет теперь самостоятельную ФЦП, которая отражает стратегию формирования микроэлектроники в стране и охватывает вопросы развития всего радиоэлектронного комплекса (см. рисунок).

“Можно с уверенностью сказать, что в 2008 году будут производиться СБИС с минимальными размерами элементов до 0,18 мкм, а к 2011 году 0,13—0,09 мкм, — сказал Александр Суворов. — Таким образом, в микроэлектронике мы существенным образом приблизимся к мировому уровню и сможем приступить к выпуску самых современных СБИС”.