Корпорация IBM совместно с компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и крупнейшим американским научно-исследовательским институтом CNSE представила действующие образцы модулей статической оперативной памяти с произвольным доступом, выполненные с соблюдением 22-нм техпроцесса. Площадь прототипа ячейки SRAM, в состав которой входят 6 нанотранзисторов, составляет 0,1 мкм2.
Создание 22-нм ячейки памяти SRAM является ключевым достижением для дальнейшей миниатюризации электронных компонентов, так как ячейки статической оперативной памяти — необходимый элемент, применяемый в процессорах для временного хранения обрабатываемого потока данных. Таким образом, следующим шагом станет создание процессоров на базе 22-нм технологии.
По словам представителей IBM, инженерам удалось осуществить прорыв благодаря не только миниатюризации базовых элементов SRAM, но и существенному повышению плотности их размещения. Это стало возможным лишь после нескольких технологических открытий в области наноинженерии.
Напомним, современные серийные решения предлагают нам чипы на базе 45-нм технического процесса. Переход же на 32-нм техпроцесс производители намереваются осуществить к 2010 г. и только затем перейти к освоению производства по норме 22 нм. Тем не менее аналитики предсказывают появление первых серийных 22-нм чипов уже в 2011 г.
Представить более подробную информацию IBM обещает на конференции International Electron Devices, которая пройдет в декабре 2008 г.
