В середине марта было объявлено о подписании трехстороннего соглашения между холдингом “Ситроникс”, госкорпорацией “Роснано” и компанией STMicroelectronics о передаче технологии производства интегральных схем с топологическими нормами 90 нм.
По условиям соглашения “Ситроникс” получит лицензию на изготовление и продажу 90-нм полупроводниковой продукции и доступ к правилам проектирования подобных изделий. Специалисты завода “Микрон” (ОАО “НИИМЭ и Микрон” — головного предприятия “Ситроникса” в области микроэлектроники) пройдут обучение проектированию интегральных схем с 90-нм нормами и смогут использовать соответствующие правила проектирования в условиях контрактного производства. Сообщается также, что STMicroelectronics передаст “Ситрониксу” рекомендации по развитию инфраструктуры “Микрона” и требования к используемым в процессе производства сверхчистым материалам.
По словам генерального директора “НИИМЭ и Микрон” Геннадия Красникова передачу технологии можно считать стартом нового перспективного проекта. “Конечно, правильнее говорить не о 90-нм технологии, а о топологическом размере 90 нм, — заметил он. — Технологии же, связанные с данной топологической нормой, могут быть разными. Мы начинаем проект с КМОП-технологии, а в дальнейшем планируем внедрить у себя и другие технологии, например использующие полупроводниковую пару германий — кремний”.
Что касается более отдаленных перспектив, то, по словам гендиректора “Микрона”, топологический размер 90 нм интересен тем, что им заканчивается использование 200-мм кремниевых подложек и с него начинается применение 300-мм пластин. “Мы уже начинаем понимать 90-нм реалии, и дальнейшее развитие проекта связываем с переходом на пластины диаметром 300 мм”, — добавил он.
Проект под названием “Создание серийного производства СБИС на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм” был инициирован в 2009 г. Основными его целями являются обеспечение российской гражданской и военной промышленности и потребительского рынка современными микроэлектронными компонентами (путем создания отечественного производства и центра проектирования и разработки соответствующих СБИС), а также предоставление российским изготовителям микроэлектроники финансовых услуг и услуг по лизингу оборудования для модернизации и переоснащения их технологических мощностей.
Проект финансируется по принципу частно-государственного партнерства: его соинвесторы — “НИИМЭ и Микрон” (который одновременно является ответственным исполнителем) и ГК “Роснано”. Бюджет проекта составляет 16,5 млрд. руб., из которых 6,5 млрд. вкладывает госкорпорация, которая через 10 лет должна выйти из проекта. Как заявил её управляющий директор Дионис Гордин, 90-нм завод на “Микроне“ — самый масштабный и передовой инвестиционный проект “Роснано“ в микро- и наноэлектронике. По состоянию на начало марта наблюдательный совет госкорпорации одобрил финансирование 11 проектов в области микроэлектроники (охватывающих создание мощностей по выпуску исходных материалов, компонентной базы и готовых изделий), совокупный бюджет которых превышает 25 млрд. руб. (при этом объем инвестиций “Роснано” составляет более 10 млрд.).
В соответствии с планами реализации проекта запуск производства 90-нм СБИС намечен на 2012 г., а в 2013-м планируется его вывод на полную мощность. К концу нынешнего года “Микрон” рассчитывает получить первые образцы новых микросхем.
Как планируют участники проекта, его реализация позволит наладить в нашей стране выпуск как интегральных схем для различных приложений (смарт-карт, меток на базе радиочастотной идентификации, цифрового ТВ, систем спутниковой навигации), так и конечной продукции (систем видеонаблюдения, Web-камер, многофункциональных мобильных терминалов).
Тем не менее руководство “Микрона” признает существование трудностей, связанных со сбытом продукции, в том числе и будущего 90-нм производства, и считает, что в формировании рынков сбыта должно активнее участвовать государство, обеспечивая, в частности, преференции отечественным компаниям.
Что касается технологического партнера 90-нм проекта — компании STMicroelectronics — то “Микрон” сотрудничает с ней с 2006-го, когда было подписано соглашение о передаче технологии 180 нм EEPROM. К настоящему времени российское предприятие эту технологию полностью освоило и уже выпускает с ее помощью , в частности, чипы для транспортных билетов.
Участники проекта убеждены, что благодаря новому 90-нм производству не только “Ситроникс” расширит продуктовый портфель: возможность реализации своих разработок, созданных по 90-нм нормам, на территории России получат отечественные дизайн-центры. Кроме того, наличие в нашей стране собственной производственной базы микроэлектроники может стать системообразующим фактором, который даст толчок к развитию других сегментов отечественной электроники и прочих высокотехнологичных отраслей. Как показывает мировая практика, одно рабочее место в микроэлектронике способствует созданию 8—10 рабочих мест в смежных отраслях.
