Корпорации IBM и Samsung объявили о партнерстве в области фундаментальных исследований по таким направлениям, как новые полупроводниковые материалы, производственные процессы и передовые технологии. Соответствующее соглашение предусматривает совместную разработку новой технологии производства полупроводниковых элементов, которые могут быть использованы в широком спектре электронных устройств, от “разумных” телефонных трубок до инфраструктуры связи.
Сообщается, что ученые Samsung впервые присоединятся к ученым IBM, сотрудничая в рамках “Альянса по исследованиям в области полупроводниковых технологий” (Semiconductor Research Alliance). Работы будут проводиться в научно-исследовательском центре Albany Nanotech Complex, расположенном в городе Олбани, шт. Нью-Йорк. Ученые и инженеры станут изучать новые материалы и транзисторные структуры, а также работать над инновационными решениями реализации межсоединений и сверхплотной конструктивной компоновки элементов для технологических узлов следующего поколения.
Ожидается, что результаты этих совместных исследований позволят достичь лидирующих в отрасли характеристик производительности, энергосбережения и компактности кремниевых полупроводниковых элементов.
Нынешняя исследовательская инициатива также расширяет соглашение между IBM и Samsung о совместных разработках технологических процессов (Joint Development Agreement, JDA), распространяя исследования до технологических норм начиная с 20 нанометров. IBM и Samsung планируют разработать инновационные технологии для своих клиентов из числа производственных компаний, обеспечивая высокую производительность и энергетическую эффективность чипов в рамках технологических норм 20 нм и ниже. В совместном проекте также будет участвовать центр исследований и разработок в области полупроводников Samsung Semiconductor R&D Center.
