Все ожидали, что на пресс-конференции 4 мая Intel расскажет о прогрессе в уменьшении размеров микросхем (которые, соответственно, должны стать дешевле и более экономно расходовать энергию). Большинство продуктов компании все еще изготавливается по технологической норме 45 нм, но выпускаются также микросхемы с нормой 32 нм, а на будущий год обещаны версии с нормой 22 нм и 14 нм.

Действительно, на пресс-конференции процессорный гигант расхваливал свои запланированные на 2012 г. процессоры Core с микроархитектурой Ivy Bridge. Как уже было известно, при их изготовлении будет использоваться техпроцесс 22 нм. Но Intel еще и извлекла из шляпы кролика — новую технологию транзисторов с трехмерным затвором Tri-Gate, которую назвала “значительным прорывом в эволюции транзистора”.

Как отмечает Intel, до сегодняшнего дня выпускались практически плоские процессоры на кремниевой подложке. Технология Tri-Gate заменяет плоские проводники трехмерными “ребрами”, вертикально поднимающимися над кремнием.

Управление электрическим током осуществляется с помощью затворов с каждой из трех сторон ребра (двух по бокам и одного сверху) вместо лишь одного сверху, как в плоских двумерных транзисторах. Согласно Intel, дополнительные средства управления позволяют транзистору пропускать максимальный ток, когда он находится в состоянии “включен” (для высокой производительности), и как можно более близкий к нулю в состоянии “выключен” (для минимизации расхода электроэнергии). Они позволяют также транзистору очень быстро переключаться между двумя состояниями (опять же ради производительности).

Intel утверждает, что ее трехмерные транзисторы Tri-Gate с технологической нормой 22 нм будут иметь такую же производительность, как двумерные плоские транзисторы, выполненные по технологии 32 нм, потребляя при этом “менее половины” энергии. Этот “колоссальный выигрыш” сделает их идеальными для использования в небольших карманных устройствах, добавляет корпорация.

Закон Мура, названный по имени соучредителя Intel Гордона Мура, представляет собой прогноз развития кремниевой технологии и утверждает, что примерно каждые два года плотность транзисторов будет удваиваться, снижая затраты при наращивании производительности. Ожидалось, что с уменьшением транзисторов закон натолкнется на физические ограничения, поскольку размер самих атомов составляет примерно 0,5 нм.

Но теперь, заявляет Intel, технология Tri-Gate позволит конструкторам микросхем управлять плотностью транзисторов точно так же, как это делают городские архитекторы при строительстве небоскребов. Будущие усовершенствования позволят дизайнерам увеличить высоту ребер, еще больше повышая производительность и энергоэффективность, добавляет корпорация.

На пресс-конференции были приведены слова Мура: “На протяжении многих лет мы видим пределы уменьшения транзисторов. Изменение базовой структуры представляет собой подлинно революционный подход, который позволит сохранить действие закона Мура и прежние темпы инноваций”.

Старший сотрудник Intel Марк Бор заявил: “Рост производительности и энергосбережения уникальных трехмерных транзисторов Intel Tri-Gate нельзя сравнить ни с чем, виденным нами ранее. Речь идет не просто о сохранении закона Мура. Преимущества низкого напряжения и малого потребления энергии намного превосходят все достижения, которые мы наблюдали ранее при переходе к производственному процессу следующего поколения”.

Согласно Intel, технологическая норма 22 нм Tri-Gate будет впервые использована в процессорах Core с микроархитектурой ядра Ivy Bridge, которые начнут производиться в больших количествах к концу этого года (и, как мы ожидаем, будут официально представлены на выставке потребительской электроники Consumer Electronics Show в январе 2012 г.). Корпорация добавила, что данная технология будет также применяться в будущих процессорах Atom и системах на кристалле, включая те, которые потребляют менее 1 мВт в неработающем состоянии.

Процессоры Core 2012 года с ядром Ivy Bridge

Intel мало что сообщила о своих процессорах Core 2012 г. с ядром Ivy Bridge. В апреле турецкий сайт DonanimHaber опубликовал убедительно выглядящие слайды, позволяющие предположить, что эти процессоры начнут появляться в первой половине следующего года. Правда, слайды не содержат никаких указаний на якобы резкое повышение энергоэффективности.

При в основном прежней базовой микроархитектуре процессоры Ivy Bridge, видимо, будут обладать более совершенными графическими возможностями — совместимостью с DirectX 11 и способностью поддерживать три независимых дисплея. Кроме того, слайды позволяют предположить, что в них используется технология Intel TurboBoost версии 2.0.

Далее, слайды показывают, что процессоры Ivy Bridge будут помещаться в тот же корпус LGA с 1155 контактами, что и их предшественники Sandy Bridge. Между прочим, сообщается, что новый набор микросхем 7 Series, получивший название Panther Point, будет совместим процессорами Core выпуска как 2011, так и 2012 г. Помимо прочих усовершенствований он впервые в истории Intel будет поддерживать USB 3.0.

Трехмерная технология Intel Tri-Gate 22 нм.