21 декабря агентство Синьхуа сообщило о технологическом прорыве китайских ученых из IMECAS (Институт микроэлектроники Китайской академии наук). На базе материала с высоким значением диэлектрической проницаемости и металлического затвора исследователи создали полевые транзисторы с шириной затвора 22 нм. Следующий шаг — создание 22-нм микросхем с низким энергопотреблением и высокой производительностью. Новая технология уменьшит зависимость Китая от зарубежных технологий и повысит конкурентоспособность на мировом рынке.
Ближайший конкурент китайских разработчиков, тайваньская компания TSMC, готовится к выпуску микросхем по 20-нм техническому процессу, “перепрыгнув” отметку 22 нм. Компания говорит о 25%-ной экономии энергопотребления и 30%-ном повышении производительности по сравнению со своими массовыми 28-нм чипами. В числе клиентов контрактного производителя такие известные компании, как AMD, Qualcomm, Texas Instruments, а в будущем году существенную часть заказов у TSMC разместит Apple, повздорившая с Samsung.
На переднем крае 22-нм фронта находятся и технологические гиганты — Intel и IBM. Фабрика IBM в городе Ист Фишкил производит чипы по 32-нм техпроцессу, но компания уже готова к производству по 22-нм процессу, утверждает директор фабрики Джон Артур. Более того, в разработке технические процессы 14 и 10 нм.
Intel массово производит 22-нм процессоры линейки Core. Выпуск новых 22-нм процессоров Intel Atom запланирован на I кв. следующего года, а процессоров с кодовым именем Haswell — на апрель (хотя существуют опасения, что релиз задержится до начала лета).
