Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.
Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года в рамках выставки «ИННОПРОМ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.
«Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для СХД. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД», — прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.
«Разработка твердотельных накопителей в форм-факторе U.2 NVMe являлась ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП „Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на
