Михаил Вольф
Новый прорыв в производстве микропроцессоров совершили исследователи фирмы IBM (www.ibm.com): разработана технология, реализующая принцип изоляции транзисторов на кристалле Silicon-on-Insulator (SOI). Этот подход, теоретически обоснованный уже довольно давно- НИР по этой тематике ведутся в лабораториях компании добрых 15 лет, позволит сократить энергетические потери более чем на треть (примерно на 35%) и за счет этого существенно повысить производительность компьютеров класса high-end. Еще одна важная область приложения- портативные устройства: мобильные телефоны, ноутбуки, персональные цифровые секретари и т. п., в которых энергообеспечение традиционно является слабым местом.
IBM предполагает внедрить новую технологию в производство широкого спектра полупроводниковой продукции, в том числе специализированных под конкретные приложения встраиваемых кристаллов и микропроцессоров семейства PowerPC. Кроме того, SOI-чипы планируется использовать в новых линиях серверов S/390, AS/400 и RS/6000.
Как полагает Майк Аттардо (Mike Attardo), генеральный менеджер IBM по микроэлектронике, “с вводом SOI-процессоров в серийное производство мы сможем оторваться от возможных конкурентов на 1- 2 года”. Уверенность компании в успехе новых микросхем на массовом рынке подкрепляется еще и тем, что для использования новшества в существующих устройствах потребуется лишь незначительная модификация последних.
В городе Ист-Фишкил (шт. Нью-Йорк) уже ведется работа по запуску первой пилотной линии по выпуску SOI-микросхем. Серийное производство новых кристаллов IBM будет развернуто в Барлингтоне (шт. Вермонт) в начале 1999 г.
