А. Б.
6 ноября корпорация Samsung Electronics (www.samsungelectronics.com) первой в отрасли объявила о завершении разработок 144-мегабитной микросхемы памяти Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM) и 144-мегабайтного модуля с однорядным расположением выводов (Rambus In-line Memory Module RIMM). Новые микросхемы будут производиться с соблюдением проектных норм 0,23 мкм и обеспечат скорость обработки данных до 1,6 Гб/с. Использование технологии Micro Ball Grid Array (mBGA) позволит значительно уменьшить размеры и массу конструируемых модулей.
По планам Samsung Electronics, с начала следующего года будет выпускаться 100 тыс. новых устройств в месяц, а с III квартала их ежемесячное производство может достичь 1 млн. шт. Емкость мирового рынка микросхем Direct RDRAM, по прогнозам специалистов, в 1999 г. составит 2,6 млрд. долл., а к 2000 г. возрастет до 13,5 млрд. долл. В начале следующего столетия это семейство будет составлять чуть ли не половину всех производимых устройств памяти DRAM.
