Джон Спунер
Технология ОЗУ RDRAM находится в разработке уже несколько лет, и вот наконец фирма Rambus (Маунтин-Вью, шт. Калифорния) и ее партнеры, такие, как компания Kingston Technology (Фонтейн-Вэлли, шт. Калифорния), объявили о том, что модули памяти Rambus DRAM поступят в массовое производство в первой половине 1999 г.
Ожидается, что после выпуска корпорацией Intel микропроцессорного комплекта Camino, поддерживающего RDRAM, OEM-производители ПК во второй половине следующего года выпустят машины, оснащенные этим видом ОЗУ.
С точки зрения пользователя смысл применения RDRAM заключается в повышении производительности, которое достигается за счет увеличения тактовой частоты шины, соединяющей ОЗУ с процессором.
ОЗУ типа RDRAM способно работать на частоте шины до 800 МГц, благодаря чему пропускная способность магистрали ОЗУ - процессор увеличивается втрое.
Поставщики модулей памяти, в том числе компания Kingston, уже приступили к выпуску опытных партий и распространяют их вместе с испытательным оборудованием среди OEM-производителей ПК. По словам директора Kingston по разработке новых продуктов Джона Сазерленда, до конца января его компания планирует оснастить заводы оборудованием для массового производства модулей RDRAM.
Фирма Samsung Semiconductor и корпорация Micron Technology объявили о предстоящем наращивании мощностей по производству микросхем RDRAM. Хотя поначалу этот тип памяти будет дороже существующих, очень скоро цена должна снизиться до конкурентоспособного уровня.
Первым лицензиатом технологии RDRAM стала в 1996 г. корпорация Intel. С тех пор о поддержке технологии Rambus в своих процессорах заявили AMD (модель К7), Compaq (Alpha) и Cyrix, которая также представила модель процессора.
Технология RDRAM поддерживает управление потреблением энергии, и, вероятно, уже в следующем году на рынке появятся использующие ее ноутбуки, построенные на базе микропроцессорного комплекта Colfax производства Intel.
Телефон фирмы Rambus: (650) 944-8000, адрес: www.rambus.com.
