Исследователям университета Аугсбурга (ФРГ) впервые удалось получить из алмазной пыли однородное покрытие, пригодное для изготовления микросхем. По мнению специалистов, изготовленные по этой технологии алмазные чипы будут обладать большей, чем кремниевые, устойчивостью к температурным (500°C и выше) и токовым нагрузкам. При этом они смогут выдавать “на гора” лучшие показатели быстродействия и производительности.
Эксперименты по созданию полупроводников на основе алмаза проводятся во всех лабораториях мира уже почти 10 лет. Основная проблема до сих пор состояла в невозможности добиться одинакового ориентирования в алмазном слое, искусственно создаваемом из множества мельчайших отдельных кристалликов: каждый из них предпочитал сохранять свою ориентацию. Полученный субстрат оставался в результате поликристаллом, что не позволяло использовать его в качестве полупроводникового материала.
Ученые кафедры экспериментальной физики (www.physik.uni-augsburg.de/exp4) использовали для своих работ иридиевую подложку, на которой посредством технологий низкого давления осаждался тончайший алмазный слой. На площади размером с ноготь помещается около 1 млрд. крошечных кристаллов, которые затем “выращиваются” в однородную “пленку”, пригодную для использования в качестве полупроводника. Первые успехи на этом направлении были достигнуты два года назад; в последнем отчете (www.physik.uni-augsburg.de/~matth/diamant.htm) впервые зафиксировано образование слоя бездефектного монокристалла, представляющего собой сплав множества единичных кристаллов и имеющего толщину 34 мкм.
Разумеется, от первого экспериментального успеха до серийного производства - дистанция огромного размера. Так, например, более чем проблематично получение требуемых для промышленных нужд объемов иридия.
