МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Корпорация IBM (www.chips.ibm.com) выпустила радиочастотный усилитель мощности для мобильных телефонов и других беспроводных устройств, выполненный по кремний-германиевой технологии (SiGe).
Кремний-германиевые микросхемы, благодаря высокой теплопроводности SiGe, выделяют значительно меньше тепла, чем микросхемы на основе GaAs, что позволяет существенно повысить термоемкость устройств и уменьшить их размеры.
Сейчас IBM работает над новым поколением SiGe устройств для беспроводных коммуникаций и сбора и обработки данных, которые могут применяться в таких приборах, как недорогая система управления движением и предотвращения автомобильных аварий, включающая 24 ГГц радар; беспроводные устройства передачи голоса и данных, работающие на частотах 1,8 ГГц и выше и объединяющие в одном чипе радиочастотную и цифровую подсистемы; высокопроизводительные ЦАП и АЦП; переносные приемники GPS и т.п.
В настоящее время корпорацией анонсированы три SiGe чипа, образующих единное семейство: IBM 2022 TDMA IS-54 предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи TDMA 800 МГц; IBM 2018 CDMA IS-95 - для устройств, работающих в стандарте сотовой связи CDMA 800 МГц; IBM 2017 PCS CDMA IS-95 - для стандарта CDMA 1900 МГц. Все три этих усилителя мощности производятся IBM по технологии BiCMOS 5AM 0,35 мкм, которая обеспечивает сочетание высокой производительности устройства, низкой стоимости и короткого цикла производства полупроводниковых пластин. Новые микросхемы будут выпускаться на заводе IBM в Барлингтоне (шт. Нермонт).
IBM 2022 TDMA уже представлен на рынке, IBM 2017 PCS CDMA пока существует только в виде прототипа, а прототип IBM 2018 CDMA, появиться в феврале.
