НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Выступая на осеннем Форуме Intel для разработчиков, главный директор корпорации по технологиям Пэт Гелсингер и старший вице-президент Суньлин Чжоу рассказали о некоторых развиваемых Intel перспективных технологиях.
В их числе следует отметить “полупроводниковое радио” на базе комплементарных металлооксидных полупроводников с пониженным энергопотреблением. В ближайшие годы такие радиоустройства будут интегрированы в микросхемы Intel, и любое устройство с подобной микросхемой сможет поддерживать беспроводную связь.
Пэт Гелсингер также продемонстрировал настраиваемый лазер с применением полупроводниково-фотонных технологий, отметив, что результаты исследований, проводимых специалистами корпорации Intel, позволят в будущем объединить в одной микросхеме функции цифровых и оптико-электронных коммуникационных устройств. Ведущиеся в этой области разработки направлены на резкое снижение стоимости оптических сетей.
Еще одно направление - сенсорные сети. По словам Гелсингера, в настоящее время уже проводятся эксплуатационные испытания недорогих, но чрезвычайно сложных полупроводниковых сенсорных устройств, способных выполнять вычисления и обеспечивать связь. Такие испытания, в частности, проходят на острове Грейт-Дак в штате Мэн, где специалисты из принадлежащей Intel Научно-исследовательской лаборатории Беркли и Атлантического колледжа развертывают и вводят в эксплуатацию беспроводные сенсорные сети, предназначенные для изучения микросреды обитания населяющих остров биологических организмов. Сенсорные устройства, представляющие собой реализованные в виде микросхем датчики температуры, влажности, атмосферного давления и инфракрасного излучения, позволят ученым без вмешательства извне следить за состоянием живой природы и среды обитания разнообразных организмов в естественных условиях. Данные экологических наблюдений передаются по спутниковому каналу в Интернет, откуда исследователи загружают их в режиме реального времени.
Наряду с продолжением углубленных исследований в направлении дальнейшей миниатюризации датчиков, встроенных в полупроводниковые устройства, Intel занимается созданием инструментальных средств программирования сенсорных сетей с целью ускоренного внедрения технологии в масштабах всей отрасли.
Среди научно-исследовательских и проектно-конструкторских работ корпорации в области полупроводниковых технологий, материалов и компоновки устройств особое место занимают разработки в области литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV), новые диэлектрики для затворов транзисторов и транзисторные устройства в целом, а также новый материал - оксид кремния в напряженном состоянии. Начиная со следующего года он будет применяться в производственном процессе Intel с технологической нормой 90 нм.
Суньлин Чжоу отдельно остановился на экспериментальных разработках высокопроизводительных неплоских КМОП-транзисторов с тройным затвором (так называемых трехзатворных транзисторов). В устройствах нового типа будет применяться трехмерная архитектура, увеличивающая площадь поверхности затвора, что способствует наращиванию производительности и позволяет создавать высокоскоростные процессоры. Пока эти транзисторы нуждаются в серьезной доработке перед запуском в производство, намеченным на вторую половину текущего десятилетия.
Как отметил Суньлин Чжоу, специалисты Intel тесно сотрудничают с рядом университетов в осуществлении долгосрочных проектов в сфере нанотехнологий, в числе которых - разработка углеродистых нанотрубок и кремниевой нанопроводки, т. е. проводниковых или полупроводниковых материалов, способствующих дальнейшему наращиванию производительности транзисторов в долгосрочной перспективе: Intel рассчитывает приступить к практическому применению нанотрубок и нанопроводки в вычислительных устройствах не ранее чем лет через десять.
