Сотрудники мюнхенской лаборатории компании Infineon Technologies (www.infineon.com) создали самый маленький транзистор, 18-нанометровый канал которого выполнен из углеродной нанотрубки. У наиболее передовых из выпускаемых в настоящее время транзисторов канал длиннее почти в четыре раза. Исследователи научились выращивать нанотрубки диаметром от 0,7 до 1 нм в заданных местах. Продемонстрированные транзисторы выдают в нагрузку ток, превышающий 0,15 мкА при напряжении питания 0,4 В.
Механизм движения электронов в нанотрубках таков, что они перемещаются в них почти без сопротивления. Так как максимальная плотность тока в нанотрубках в 1000 раз превышает таковую в медной проволоке, то новый материал может найти применение в различных областях микроэлектроники.
Компания Infineon первой разработала процесс, который дает возможность выращивать нанотрубки в заранее заданных местах, и первой получила транзисторы.
Основываясь на результатах тестирования новых транзисторов, разработчики выражают уверенность, что напряжение питания можно уменьшить до 0,35 В.
