Компания Samsung Electronics (www.samsung.ru) объявила о начале массового производства микросхем памяти нового поколения XDR (eXreme Datа Rate) емкостью 256 Мб, предназначенных для применения в мультимедийных устройствах: игровых приставках, цифровых телевизорах, серверах и рабочих станциях.
В памяти 256 Mб XDR передача данных происходит побайтно, т. е. за один цикл передается восемь разрядов данных, что позволяет достичь скорости 8 Гб/с. По этому показателю новая память в десять раз превосходит память DDR 400 и в пять - память RDRAM (PC800). Для обеспечения надежности передачи на таких высоких скоростях Samsung использует технологию DRSL (дифференциальный метод передачи сигнала).
Технология XDR может стать одним из главных компонентов современных высококачественных мультимедийных устройств.
Компания не собирается останавливаться на достигнутом: в первой половине нынешнего года планируется выпуск на рынок памяти 512 Мб XDRT DRAM с пропускной способностью до 12,8 Мб/с. Внедрение новых технологий укрепит ведущие позиции на рынке высококачественной памяти для мультимедийных приложений.
По прогнозам компании IDC, этот рынок будет неуклонно расти и к концу 2009 г. объем поставок может превысить 800 млн. чипов. Вот уже 13 лет Samsung Electronics, в портфолио которой входят DDR 2, DRAM для графических приложений и мобильных телефонов, а теперь и сверхскоростная XDR DRAM, является мировым лидером в области производства памяти DRAM и продолжает укреплять свои позиции на рынке высокотехнологичных продуктов.
