Компания Samsung Electronics (www.samsung.com) 24 марта объявила о начале массового производства памяти нового поколения, предназначенной для применения в серверах и рабочих станциях. Это полностью буферизированные модули (FB DIMM), сделанные по технологии DDR2.
Были представлены образцы FB DIMM 512 Мб и 1 Гб, которые полностью соответствуют стандарту JEDEC.
Для использования как с высокоскоростными, так и с низкоскоростными интерфейсами к каждому модулю памяти был добавлен чип буфера памяти AMB (advanced memory buffer). Его пропускная способность составляет от 3,2 до 4,8 Гб/с. Максимальная скорость передачи данных у новой памяти FB DIMM - 4,8 Гб/с, что в два раза превышает скорость регистровых модулей памяти предыдущего поколения DDR2-400, изготовленных по технологии DDR2-800.
Память архитектуры FB DIMM позволяет устанавливать прямые соединения, благодаря которым несколько модулей памяти могут быть подключены к каналу памяти последовательно. Это дает возможность увеличить пропускную способность до 8 Гб/с на канал при использовании кристаллов памяти емкостью 512 Мб и до 32 Гб/с в случае емкости кристаллов 1 Гб.
