В ноябре фирма Toshiba (Ирвин, шт. Калифорния) начала поставки стандартного модуля статического ОЗУ (SRAM) объемом 1 Мбит. Продукт поддерживает напряжение питания в диапазоне 2,7 - 3,6 В. При 2,7-вольтовом питании его конструкция 8х128 Кбит обеспечивает время доступа 85 нс, что позволяет значительно повысить быстродействие сотовых телефонов, пейджеров, сканеров и других устройств на базе нового модуля памяти. Время доступа существующих 3-вольтовых модулей SRAM составляет около 150 нс.
Цена модуля TC55V1001ST/SR/F/FT/TR-85 - $6 при покупке партии в 1000 шт.
