Корпорации Intel и Micron Technology объявили о том, что развитие их совместного предприятия IM Flash Technologies, занимающегося выпуском флэш-памяти класса NAND, идет с опережением графика.
С момента создания IM Flash Technologies в январе этого года был введен в строй современный завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND с использованием 300-миллиметровых подложек в г. Манассас (шт. Вирджиния). Ожидается, что в самом начале следующего года фабрика в г. Леи (шт. Юта) также сможет приступить к производству продукции на базе 300-мм подложек. В настоящее время флэш-память класса NAND для этого совместного предприятия производится и на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо). Кроме того, на сегодняшний день Intel и Micron выпускают опытные 4-Гб образцы модулей памяти, изготовленных по анонсированной в июле этого года 50-нм технологии.
Две корпорации объявили о планах расширения деятельности своего совместного предприятия в Сингапуре, в результате реализации которых в этой стране будет построен четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND. Первые поставки продукции с конвейера сингапурской фабрики ожидаются во второй половине 2008 года, первоначально на ней планируется использовать 50-нм производственную технологию и 300-мм подложки. Начало строительства запланировано на первую половину следующего года.
