Корпорация Intel объявила о начале массовых поставок многоуровневых (Multi-Level Cell, MLC) микросхем флэш-памяти класса NOR, созданных на базе 65-нанометровой производственной технологии, в том числе 1-гигабитных монолитных модулей.
Новая продукция основана на архитектуре Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) и обратно совместима с серийно выпускаемыми модулями флэш-памяти Intel на базе 90-нм производственной технологии. Эти однокристальные модули ориентированы на использование в мультимедийных мобильных телефонах с фотокамерами, способных работать с видео и поддерживающих высокоскоростной обмен данными.
Новые модули флэш-памяти Intel при рабочей частоте 133 МГц обеспечивают скорость записи до 1 Мб/сек. Необходимое для их функционирования напряжение энергопитания составляет 1,8 В.
Согласно планам выпуска продукции Intel на базе 65-нм производственной технологии, в 2007 году в составе семейства микросхем M18 появятся модули емкостью 512 Мбит, 256 Мбит и 128 Мбит.
