Компания Toshiba объявила о выпуске модулей флэш-памяти NAND-типа, емкостью 8 и 16 Гбит, изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компанией SanDisk Corporation.
|
Toshiba 56 нм NAND |
В конце 2006 года Toshiba совершила переход от опытного производства этой памяти к промышленному, и в настоящее время приступила к серийному выпуску 8-гигабитных чипов, которые уже поступили в продажу. Начало поставок 16-гигабитных чипов ожидается к концу первого квартала этого года.
При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа при сохранении его размеров. Применение 56-нм техпроцесса позволило Toshiba вдвое увеличить емкость отдельных кристаллов по сравнению с базирующимися на 70-нм технологии и за счет технологических усовершенствований довести скорость записи новых модулей до 10 Мб/c, тогда как ранее компания производила чипы с в два раза меньшим быстродействием.
