Корпорация Intel объявила о намерении инвестировать от 1 до 1,5 млрд. долл. в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо. После переоборудования размещенная там фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии следующего поколения и станет четвертой такой площадкой у Intel. Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей намечен на вторую половину следующего года. Пока фабрика выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм.
Разработанный Intel 45-нм техпроцесс подразумевает использование металлического затвора и изоляторов с большой диэлектрической постоянной (high-k) — такое сочетание позволяет существенно снизить токи утечки и сократить время переключения транзисторов. Массовое производство микросхем начнется в нынешнем году, а опытные образцы нового семейства продукции с кодовым именем Penryn уже были протестированы на работоспособность — на них успешно запустились ряд ОС и приложений.
Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас корпорация строит еще две аналогичные фабрики. Fab 32 в Чэндлере (шт. Аризона) будет запущена в нынешнем году — ее создание обошлось в 3 млрд. долл. Еще 3,5 млрд. долл. вложено в строительство фабрики Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль), открытие которой запланировано на первую половину следующего года.
