Корпорация Toshiba объявила о своем прорыве в визуализации движения электронов и примесей в полупроводниках, впервые позволяющей провести анализ пути распространения зарядов с точностью до 1 нанометра. Это достижение, основанное на сканирующей микроскопии сопротивления растекания (SSRM) позволит существенно ускорить переход 45-нм и более высокоточные техпроцессы.
Технология SSRM применяется для двумерного картографирования сопротивлений в наноэлектронике. Для создания чипов по технологии 45 нм и более точным методикам необходима возможность контроля за примесями с точностью 1 нм, тогда как разрешение традиционной технологии SSRM ограничено 5 нм. Специалистам Toshiba удалось снизить помехи от попадающего на образец водяного пара, поместив его в вакуумную камеру и обеспечить стабильный контакт между образцом и зондом, что и позволило поднять предел разрешения получаемого изображения до 1 нм.
Теперь компания планирует использовать модернизированную методику SSRM для контроля производства чипов по 45-нанометровому техпроцессу.
