Корпорации Intel и Micron Technology объявили о начале выпуска их совместным предприятием IM Flash Technologies опытных партий многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND, созданных на основе 50-нанометровой производственной технологии. Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями.
Новые модули MLC NAND стали результатом сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года. За этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти. Так, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводах корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт. Вирджиния) совместное предприятие IM Flash приступило с февраля к производству продукции с использованием 300-миллиметровых подложек на своем заводе в г. Леи (шт. Юта). Кроме того, в соответствии с недавним заявлением о расширении деятельности предприятия в Сингапуре успешно реализуются планы по строительству нового производственного комплекса IM Flash в этой стране.
Корпорация Intel также сообщила о достижении значительных успехов в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.
