Компания Freescale Semiconductor разработала первое пригодное для практического использования устройство, сочетающее высокое быстродействие полупроводников на основе арсенида галлия (GaAs) с преимуществами традиционной МОП-технологии.
МОП-технология, базирующаяся на кремнии, лежит в основе почти всех широко используемых в настоящее время микроэлектронных изделий. Однако несовместимость диоксида кремния и других диэлектриков с арсенидом галлия препятствовала созданию промышленно пригодных МОП-изделий на основе GaAs. Freescale удалось найти подходящие материалы, и это препятствие было устранено.
Как надеются специалисты компании, эта разработка позволит создать новые классы усилителей мощности и маломощных сверхскоростных полупроводников, что даст возможность значительно снизить размеры и увеличить производительность электронных изделий. Рост производительности приведет к фундаментальному изменению технологий аналого-цифрового преобразования, открывая потенциальную возможность создания “мгновенно” работающих преобразователей.
Freescale ожидает, что первые поколения МОП-устройств на основе арсенида галлия будут узкоспециализированными и лишь дополнят полупроводники, изготовленные по традиционным технологиям. Компания намерена совместно с партнерами приложить усилия к скорейшему внедрению новой технологии в областях, где уже сейчас требуется сверхвысокая производительность.
И. С.
