Компании Toshiba и SanDisk объявили о совместной разработке флэш-памяти NAND емкостью 8 Гб. Кристаллы выпускаются по 70 нм технологии. В новой памяти применены двухслойные ячейки (технология MLC), что дает возможность хранить в одной ячейке памяти два бита информации. В результате новый чип памяти может хранить в кристалле 8 Гб данных, имея всего на 5% большую площадь по сравнению с чипом емкостью в 4 Гб. Площадь нового кристалла равна 146 кв. мм, на них размещается 6 млрд. транзисторов.
Массовое производство новых чипов памяти начнется этим летом, а в следующем году 8 Гб чип станет их главным продуктом. Компании намерены выпускать память емкостью в 16 Гб, в которой два 8 Гб чипа будут размещаться в одном корпусе друг над другом.
А. Л.
