Компания Fujitsu Microelectronics Europe начала выпуск энергонезависимой ферроэлектрической памяти (ferroelectric memory – FRAM) емкостью 1 Мбит, отличающейся высокой скоростью выполнения операций чтения-записи и небольшим энергопотреблением.
Первую микросхему со встроенной памятью FRAM компания выпустила в 1999-м, и в этом же году она выпустила на рынок появилась энергонезависимую память емкостью 256 кбит.
В настоящее время по технологии 0,35 нм 1T1C выпускаются две микросхемы памяти FRAM емкостью 1 Мбит -- MB85R1001 и MB85R1002; первая из которых имеет шину данных 8, а вторая – 16 бит.
Применение технологии 1T1C в конструкции ячейки памяти позволило удвоить емкость кристалла по сравнению с ячейкой традиционной 2T2C-технологии при той же площади кремния.
Технические характеристики памяти FRAM емкостью 1 Мбит
|
Характеристика |
MB85R1001
|
MB85R1002
|
|
Организация
памяти |
128 K 8-разрядных
слов |
64K
16-разрядных
слов |
|
Напряжение
питания |
+3,0
--3,6 В -20…+85°C
100
нс 250
нс Больше
10 лет Более
10 млрд.
циклов
чтения-записи
|
|
|
Рабочая
температура
|
||
|
Время
чтения |
||
|
Время
цикла
чтения-записи
|
||
|
Продолжительность
хранения
данных |
||
|
Долговечность
|
||
А. Л.
