29 апреля компании STMicroelectronics и Hynix Semiconductors в торжественной обстановке заложили первый камень в фундамент здания фабрики по производству полупроводниковой памяти. Фабрика, соглашение о строительстве которой было подписано в ноябре прошлого года, строится в г. Вукси в китайской провинции Джангсу.
В этом городе, расположенном в двух часах езды от Шанхая, без труда можно набрать высококвалифицированную рабочую силу. Вукси имеет развитую инфраструктуру и площади для расширения производства.
В конце года на новой фабрике приступят к выпуску микросхем на 200 мм подложках по отлаженному техпроцессу, перенесенному с корейских производств компании Hynix. Затем, в конце следующего года, начнут использоваться 300 мм подложки.
Общий объем инвестиций в строительство составит 2 млрд. долл. Финансирование будет осуществляться партнерами в такой пропорции: Hynix — 67%, ST — 33%.
Производство DRAM и флеш-памяти NAND на этой фабрике станет логическим следствием заключенных соглашений между компаниями Hynix и ST. Ожидается, что новое производство даст обеим компаниям возможность занять лидирующие позиции на растущем рынке Китая. Оно также поможет фирме ST улучшить обслуживание потребителей, особенно в области телекоммуникаций и бытовой электроники.
В частности, на основе недорогой продукции новой фабрики компания ST намерена развивать технологию многослойной упаковки кристаллов (multi-chip package — MCP), а также развивать направление system-in-package (SiP, система в одном корпусе). Кроме того, новая фабрика поможет фирме Hynix разрешить проблемы, вытекающие из ограничений на экспорт её продуктов в США и Европу.
А. Л.
