Компания Fujitsu объявила о доступности для разработчиков технологии создания микросхем по 65-нм проектным нормам, предназначенной для выпуска заказных интегральных схем высокой степени интеграции и систем на кристалле (SoC).
Фактически у Fujitsu имеется два 65-нм техпроцесса — CS200 и CS200A, у которых размер затвора у транзистора составляет 30 нм. т. е. на 25 % меньше затвора, полученного по старой 90-нм технологии CS100. В новых транзисторах используются слои силицида никеля вместо силицида кобальта и аморфного кремния, применявшихся в 90-нм процессе. У силицида никеля сопротивление меньше, что дает возможность увеличить скорость переключения транзистора.
Оба процесса позволяют использовать 11 слоев медных соединений, и это означает, что можно разрабатывать сложные системы на кристалле. Кроме того, в обоих случаях используется диэлектрик с низким коэффициентом диэлектрической постоянной k.
Процесс CS200 рассчитан на создание наборов микросхем для высокопроизводительных серверных процессоров, а CS200A — для разработки микросхем для сотовых телефонов, мобильных ПК и устройств бытовой электроники, там, где в первую очередь требуется низкое энергопотребление.
Fujitsu предлагает пользователям законченный пакет технологий, которые поддерживают широкий спектр различных приложений, в том числе множество элементов микросхем, готовых для применения в системах на кристалле (SoC). Кроме того, компания предоставляет средства для разработки микросхем — алгоритмы создания масок и SPICE-модели элементов для физического моделирования разрабатываемой схемы.
Мастер-ленты для изготовления схем по 65-нм технологии CS200 будут приниматься к производству в первом квартале следующего года.
Возможности для корпусирования изготовленных систем, предлагаемых Fujitsu, не исчерпываются стандартными корпусами BGA. Компания предоставляет заказчикам помощь в проектировании корпусов, их моделировании, сборке и тестировании.
Fujitsu пополнила собой список компаний, предлагающих 65-нм технологии, который включает Intel, Toshiba, TI, TSMC и др.
А. Л.
