Spansion LLC, дочерняя фирма компаний AMD и Fujitsu, продемонстрировала образец однокристального модуля флэш-памяти GL NOR емкостью 1 Гбит и действующий образец модуля памяти ORNAND емкостью 1 Гбит. Оба кристалла выполнены по проектным нормам 90 нм по технологии MirrorBit на фабрике Fab 25.
Были продемонстрированы: гигабитный модуль флэш-памти ORNAND для беспроводных телефонов и устройства, оборудованные ими, а именно, фотоаппарат и видеокамера. Также был показан прототип программно-аппаратного комплекса (АПК), который будет использован в мобильном телефоне. Телефон будет оборудован флэш-памятью команд NOR и модулем памяти ORNAND емкостью 1 Гбит для хранения данных.
Новые модули памяти имеют высокую скорость чтения/записи, позволившую обеспечить проигрывание видеофайлов и запись со скоростью 15 кадр/с с разрешением QVGA (320×240 пикселов).
Промышленное производство гигабитной памяти начнется в конце этого года, а 2-гигабитной — в середине следующего.
В начале 2006-го компания планирует продемонстрировать модуль памяти NOR емкостью 512 Мбит с напряжением питания 1,8 В.
В следующем году Spansion намеревается перейти на технологию MirrorBit с проектными нормами 65 нм.
А. Л.
